AS4C512M16D4-75BIN vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory e H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | AS4C512M16D4-75BIN | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,99 | $55,68 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x16 |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Encapsulamento | 96-FBGA (7.5x13) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Interface | POD | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| Número de pinos | 96 | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Recursos | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |