AS4C512M16D4-75BIN vs H5AN8G6NDJR-XNC 비교
다음의 상세 나란히 비교: AS4C512M16D4-75BIN 제조: Alliance Memory 및 H5AN8G6NDJR-XNC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | AS4C512M16D4-75BIN | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Alliance Memory | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.99 | $55.68 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x16 |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 인터페이스 | POD | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| 핀 수 | 96 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 특징 | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |