AS4C512M16D4-75BIN vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory y H5AN8G6NDJR-XNC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C512M16D4-75BIN | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,99 | $55,68 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x16 |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Access Time | 18 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Interfaz | POD | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| Número de pines | 96 | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Características | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |