BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon e BSC117N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC076N06NS3GATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 50 W
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1
RoHS Compliance Compliant —
Livre de halogênio Yes (per Infineon product page) —
Part Number — BSC117N08NS5ATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
Contagem de pinos — 8
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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