BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC076N06NS3GATMA1 от Infineon и BSC117N08NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC076N06NS3GATMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,65 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 50 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 3.5 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | 50 W |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Корпус | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Без галогенов | Yes (per Infineon product page) | — |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Число выводов | — | 8 |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |