H5ANAG4NBJR-RDC vs H5ANAG4NBJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG4NBJR-RDC por SK hynix e H5ANAG4NBJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,75 $8,09
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 4 Gbit
Organização da memória 4G x 4 256M x16
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Taxa de dados 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) —
Encapsulamento 78-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Prefetch 16n (bank group architecture) —
Interface SSTL-12 CMOS, DDR4 (double data rate)
Recursos Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode —
Refresh Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] —
Operating Temperature (case) -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) —
Temperature Grade Suffix RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free —
Status RoHS Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) Compliant
VDDQ 1.2 V —
Product Family SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series —
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Clock / Data Rate — 1.6 GHz
Temperatura de operação — -40C to +95C
Data Mask (DM) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail]

Fichas técnicas e recursos

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