H5ANAG4NBJR-RDC vs H5ANAG4NBJR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG4NBJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5ANAG4NBJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5ANAG4NBJR-RDC | H5ANAG4NBJR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.75 | $8.09 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb (2 GB) | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 4G x 4 | 256M x16 |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | FBGA-96 (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Prefetch | 16n (bank group architecture) | — |
| 인터페이스 | SSTL-12 | CMOS, DDR4 (double data rate) |
| 특징 | Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode | — |
| Refresh | Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] | — |
| Operating Temperature (case) | -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) | — |
| Temperature Grade Suffix | RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) | Compliant |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| Product Family | SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Clock / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| 동작 온도 | — | -40C to +95C |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] |