IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N10S5L054ATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L110TATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $2,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IAUC automotive family) OptiMOS 5
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS value] —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 101 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 130 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5.4 mΩ —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-34 (surface mount) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology OptiMOS 5 trench N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260°C peak reflow)
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação