IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUC100N10S5L054ATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L110TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $2,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IAUC automotive family) OptiMOS 5
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS value] —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 101 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 130 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5.4 mΩ —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C —
Boîtier PG-TDSON-8-34 (surface mount) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology OptiMOS 5 trench N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260°C peak reflow)
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification

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