IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC100N10S5L054ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN10S5L110TATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ 활성
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IAUCN10S5L110TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.92 $2.08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IAUC automotive family) OptiMOS 5
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS value] —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 101 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 130 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5.4 mΩ —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C —
패키지 PG-TDSON-8-34 (surface mount) PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology OptiMOS 5 trench N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL1 (260°C peak reflow)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 Extended Qualification

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