IAUC60N10S5L110ATMA1 vs IAUC120N06S5N022ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUC60N10S5L110ATMA1 por Infineon e IAUC120N06S5N022ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC120N06S5N022ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™-5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 60 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 88 W —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 11 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 1.2 V —
Encapsulamento PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: min/max operating temperature] [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs] —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant per LCSC listing) —
Packing Code ATMA1 (Tape & Reel) —
Nível MSL 1 (per LCSC datasheet snippet) —
Livre de halogênio Yes (per Infineon product classification) Yes (per Infineon product family convention)
Customer Info / FGR J52 (per Infineon product data) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — 170 A (Tj)
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mΩ at VGS=10 V
Power Dissipation (PD) — 136 W (Tc)
Technology — OptiMOS-5 trench
Channel Type — N-Channel
Contagem de pinos — 8 (with exposed pad)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Status RoHS — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V]

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