IPC50N04S55R8ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPC50N04S55R8ATMA1 por Infineon e IPC100N04S51R7ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IPC50N04S55R8ATMA1 | IPC100N04S51R7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,61 | $0,82 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 50 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 42 W | — |
| R_DS(on) Max (V_GS=10V) | 5.8 mΩ | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 305 pF | — |
| Gate Threshold (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th)] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +175 °C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | MSL1 (260 °C peak reflow) | MSL1 (260 °C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / Green | RoHS compliant, Green Product | — |
| Polarity | Enhancement Mode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage VDS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 100 A (at TC) |
| Pulsed Drain Current IDM | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage VGS | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation PD | — | 115 W (at TC) |
| Thermal Resistance RthJC | — | 1.3 K/W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 °C to +175 °C |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% tested |
| Status RoHS | — | Compliant (Green Product) |
| Built-in Body Diode | — | Yes |