IPC50N04S55R8ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPC50N04S55R8ATMA1 от Infineon и IPC100N04S51R7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPC50N04S55R8ATMA1 IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 - 40V 50A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPC50N04S55R8ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPC50N04S55R8ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,61 $0,82
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 50 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc 42 W —
R_DS(on) Max (V_GS=10V) 5.8 mΩ —
Output Capacitance (C_oss) 305 pF —
Gate Threshold (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-TDSON-8-33 (TDSON EP) PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL MSL1 (260 °C peak reflow) MSL1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / Green RoHS compliant, Green Product —
Polarity Enhancement Mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
Тип транзистора — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Статус RoHS — Compliant (Green Product)
Built-in Body Diode — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену