IPT015N10N5ATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT015N10N5ATMA1 por Infineon e IPG20N10S436AATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT015N10N5ATMA1 IPG20N10S436AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,78 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Encapsulamento PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode)
Temperatura de operação -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
Status RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Packaging Tape & Reel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 43 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Operating Temperature (TJ max) — +175 C
JESD-609 Code — e3
Nível MSL — MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100%
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Channel Type — N-Channel Normal Level

Fichas técnicas e recursos

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