IPT015N10N5ATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT015N10N5ATMA1 por Infineon y IPG20N10S436AATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT015N10N5ATMA1 IPG20N10S436AATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,78 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Encapsulado PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode)
Temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
Estado RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Packaging Tape & Reel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 43 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Operating Temperature (TJ max) — +175 C
JESD-609 Code — e3
Nivel MSL — MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100%
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Channel Type — N-Channel Normal Level

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