IPT015N10N5ATMA1 vs IPG20N10S436AATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT015N10N5ATMA1 von Infineon und IPG20N10S436AATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT015N10N5ATMA1 IPG20N10S436AATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,78 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPT015N10N5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.5 mΩ —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
Gehäuse PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single Dual N-Channel (2 Elements with Built-in Diode)
Betriebstemperatur -55°C to +175°C —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] —
Output Capacitance (Coss) Reduced up to 44% vs prior generation (per manufacturer claim) —
RDS(on) Improvement vs Prior Generation Up to 43% reduction —
RoHS-Status Compliant Compliant (Green Product)
Packaging Tape & Reel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 43 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Operating Temperature (TJ max) — +175 C
JESD-609 Code — e3
MSL-Level — MSL1 (260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Avalanche Tested — 100%
AOI Compatible — Yes (Wettable Flank)
Channel Type — N-Channel Normal Level

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