IRL540NPBF vs IRLZ44NPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRL540NPBF por Infineon e IRLZ44NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRL540NPBF | IRLZ44NPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,86 | $0,68 |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRL540NPBF | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (Planar DMOS) | HEXFET (advanced process) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | 55 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/-16 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 36 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 130 A (pulsed) | 160 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 44 mOhm at VGS=5V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1 V to 2 V (logic level) | 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | 49.3 nC | 32 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 140 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C |
| Encapsulamento | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3 leads) |
| Tipo de montagem | Through Hole | Through Hole |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 47 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±16 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 110 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.4 °C/W |
| Logic-Level Gate Drive | — | Yes (fully enhanced at VGS=5V) |