IRL540NPBF vs IRLZ44NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRL540NPBF بذریعہ Infineon اور IRLZ44NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRL540NPBF IRL540NPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRL540NPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRL540NPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRL540NPBF IRLZ44NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRL540NPBF —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Planar DMOS) HEXFET (advanced process)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 55 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-16 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A (pulsed) 160 A
On-Resistance RDS(on) max 44 mOhm at VGS=5V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2 V (logic level) 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V)
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
پیکیج TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±16 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 110 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.4 °C/W
Logic-Level Gate Drive — Yes (fully enhanced at VGS=5V)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں