IRLR024NTRPBF vs IRLL024ZTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR024NTRPBF por Infineon e IRLL024ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR024NTRPBF IRLL024ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,46
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel enhancement-mode
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 65 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 45 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) SOT-223 (TO-261-4)
Technology HEXFET (Advanced Process Technology) HEXFET Power MOSFET (trench-gate)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Gate Drive Level Logic-Level —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 60 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO)
Total Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 1 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55 °C to +150 °C
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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