IRLR024NTRPBF vs IRLL024ZTRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLR024NTRPBF от Infineon и IRLL024ZTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF ✓ Активен
Infineon
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF - 55V 5A 60mΩ N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

IRLL024ZTRPBF - 55V 5A 60mΩ N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

IRLL024ZTRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLR024NTRPBF IRLL024ZTRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,46 $0,46
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel enhancement-mode
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 65 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 45 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус TO-252AA (DPAK) SOT-223 (TO-261-4)
Technology HEXFET (Advanced Process Technology) HEXFET Power MOSFET (trench-gate)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Gate Drive Level Logic-Level —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 55 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 60 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level, drives from 3.3 V GPIO)
Total Gate Charge (Qg) typical — 7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 1 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -55 °C to +150 °C
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену