IRLR3636TRPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3636TRPBF por Infineon e IRFZ48NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3636TRPBF IRFZ48NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,38 $1,18
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C 50 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C [DATA_NEEDED: I_D at 100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V 6.8 mOhm —
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V 5.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) range] —
Total Gate Charge (Q_G) 33 nC —
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C 143 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET / IR MOSFET —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Fichas técnicas e recursos

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