IRLR3636TRPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLR3636TRPBF от Infineon и IRFZ48NSTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF - 60V 50A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRPBF - 60V 50A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF - 55V 64A N-Ch MOSFET, 14mΩ D2PAK | Infineon

IRFZ48NSTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLR3636TRPBF IRFZ48NSTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,38 $1,18
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C 50 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C [DATA_NEEDED: I_D at 100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V 6.8 mOhm —
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V 5.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) range] —
Total Gate Charge (Q_G) 33 nC —
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C 143 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET / IR MOSFET —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену