ISC028N03LF2SATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon e BSC340N08NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC028N03LF2SATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 92 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) RoHS compliant, lead-free
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Power Dissipation (Tc) — 32 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação