ISC028N03LF2SATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC028N03LF2SATMA1 제조: Infineon 및 BSC340N08NS3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISC028N03LF2SATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.86 $0.81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 92 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
동작 접합 온도 -55 C to +175 C —
패키지 PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) RoHS compliant, lead-free
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Power Dissipation (Tc) — 32 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

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