ISC028N03LF2SATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC028N03LF2SATMA1 von Infineon und BSC340N08NS3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC028N03LF2SATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 92 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) RoHS compliant, lead-free
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Power Dissipation (Tc) — 32 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

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