ISC0703NLSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC0703NLSATMA1 por Infineon e ISC011N03L5SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC0703NLSATMA1 ISC011N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $0,47
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 57 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 44 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS family) OptiMOS 5 trench MOSFET
Encapsulamento PG-TDSON-8 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Standard Package Quantity 5,000 (reel) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
Temperatura de operação — -55 C to +175 C (TJ)
Gate Drive — Logic-level compatible

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