ISC0703NLSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC0703NLSATMA1 от Infineon и ISC011N03L5SATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC0703NLSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,51 | $0,47 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 44 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS family) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Корпус | PG-TDSON-8 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | — |
| Standard Package Quantity | 5,000 (reel) | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Рабочая температура | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |