ISC0703NLSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC0703NLSATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC0703NLSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 44 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS family) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Paket | PG-TDSON-8 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Standard Package Quantity | 5,000 (reel) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |