K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4-75BIN Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics e AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $37,00 | $8,99 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 2666 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13) |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (TC) | -40°C to +95°C |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Interface | — | POD |
| Número de pinos | — | 96 |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Recursos | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |