K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4-75BIN Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCTD от Samsung Electronics и AS4C512M16D4-75BIN от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $37,00 | $8,99 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Организация памяти | 512M x 16 | — |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 2666 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13) |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (TC) | -40°C to +95°C |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Размер памяти | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Интерфейс | — | POD |
| Количество выводов | — | 96 |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Особенности | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |