K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4-75BIN Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics y AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $37,00 | $8,99 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 2666 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | -40°C to +95°C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Interfaz | — | POD |
| Número de pines | — | 96 |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |