K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics e AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4B-62BCNTR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $37,00 | $8,10 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 3200 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 95°C |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 19 ns |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Interface | — | Parallel |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Revision | — | Rev.B |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |