K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics y AS4C512M16D4B-62BCNTR por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4B-62BCNTR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $37,00 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 3200 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 95°C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 19 ns |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Interfaz | — | Parallel |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Revision | — | Rev.B |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |