K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics et AS4C512M16D4B-62BCNTR par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4B-62BCNTR |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $37,00 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 3200 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 95°C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 19 ns |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Revision | — | Rev.B |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |