K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4B-62BCNTR 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BCTD 제조: Samsung Electronics 및 AS4C512M16D4B-62BCNTR 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BCTD | AS4C512M16D4B-62BCNTR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $37.00 | $8.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 3200 MT/s |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 95°C |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL value] | 19 ns |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| Revision | — | Rev.B |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |