K4A8G165WB-BCTD vs AS4C512M16D4B-62BCNTR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCTD от Samsung Electronics и AS4C512M16D4B-62BCNTR от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ Активен
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G165WB-BCTD AS4C512M16D4B-62BCNTR
Бренд Samsung Electronics Alliance Memory
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $37,00 $8,10
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Total Density 8 Gb —
Скорость передачи данных 2666 Mbps/pin (PC4-2666) 3200 MT/s
Напряжение питания 1.2 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Корпус 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Рабочая температура 0°C to +95°C (TC) 0°C to 95°C
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CL value] 19 ns
tRCD [DATA_NEEDED: tRCD value] —
tRP [DATA_NEEDED: tRP value] —
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
ZQ Calibration Yes —
Data Mask Yes —
RoHS Compliant —
Размер памяти — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1600 MHz
Интерфейс — Parallel
Тип монтажа — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Revision — Rev.B
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену