K4A8G165WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics e H5AN8G6NDJR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $37,00 | $35,00 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Taxa de dados | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Recursos | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |