K4A8G165WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCTD от Samsung Electronics и H5AN8G6NDJR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $37,00 | $35,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Особенности | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |