K4A8G165WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics et H5AN8G6NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $37,00 | $35,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |