K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NCJR-PBC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics e H5AN8G6NCJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $23,00 | $3,30 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| Interface | 16-bit I/O | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latência CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| Tamanho da memória | — | 8 Gbit |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |
| Status RoHS | — | Compliant |