K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NCJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WC-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G6NCJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $23.00 | $3.30 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C |
| 패키지 | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| 인터페이스 | 16-bit I/O | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |