K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G6NCJR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics et H5AN8G6NCJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $23,00 | $3,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| Interface | 16-bit I/O | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |
| Statut RoHS | — | Compliant |