K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-125KBL Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics e IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $14,32 | $5,60 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Taxa de dados | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Encapsulamento | FBGA-96 | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Número de pinos | 96 | — |
| Tamanho da memória | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |