K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-125KBL 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BYMA 제조: Samsung Electronics 및 IS43TR16256AL-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $14.32 | $5.60 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| 패키지 | FBGA-96 | 96-TWBGA (9x13mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| 메모리 크기 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |