K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-125KBL Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics и IS43TR16256AL-125KBL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $14,32 | $5,60 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Корпус | FBGA-96 | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Количество выводов | 96 | — |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |