K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-125KBL Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics und IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,32 | $5,60 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Datenrate | 1866 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0°C ~ 95°C |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |