MPX5010GS117 vs MPX5010DP Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MPX5010GS117 por NXP Semiconductors e MPX5010DP por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MPX5010GS117 MPX5010GS117 - 10 kPa Pressure Sensor, 0-45°C | NXP | Industrial

MPX5010GS117 - 10 kPa Pressure Sensor, 0-45°C | NXP | Industrial

MPX5010GS117 ✓ Ativo
NXP Semiconductors
MPX5010DP MPX5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor, 5V | NXP/ST

MPX5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor, 5V | NXP/ST

MPX5010DP ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MPX5010GS117 MPX5010DP
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria Pressure Sensors Pressure Sensors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $11,50 $9,60
Pressure Range [DATA_NEEDED: full-scale kPa range] —
Operating Pressure 0 to 10 kPa —
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum kPa rating] [DATA_NEEDED: max overload kPa]
Sensitivity [DATA_NEEDED: mV/kPa value] 450 mV/kPa (typical)
Tensão de alimentação 5 V 4.75 V to 5.25 V (5 V typical)
Corrente de alimentação [DATA_NEEDED: typical mA] [DATA_NEEDED: supply current mA]
Tipo de saída Analog ratiometric Analog, ratiometric
Faixa de tensão de saída [DATA_NEEDED: Vmin to Vmax] 0.2 V to 4.7 V
Linearity [DATA_NEEDED: percent of full-scale span] ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C)
Temperatura de operação -40 °C to +125 °C 0 C to +85 C (compensated)
Compensated Temperature [DATA_NEEDED: temperature range] —
Response Time [DATA_NEEDED: ms] —
Port Configuration Single port axial, dual vertical ports Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube
Encapsulamento SOP-8 surface mount 6-SIP Module
Media Compatibility Dry, non-corrosive gases —
Tipo de montagem Surface Mount Through-hole (SIP)
Status RoHS [DATA_NEEDED: compliance status] Compliant
Pressure Type — Differential
Operating Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature C]
Technology — Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned

Fichas técnicas e recursos

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