MT53E1G32D2FW-046 WT:B vs WT:A Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT53E1G32D2FW-046 WT:B por Micron Technology e WT:A por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 WT:B MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT53E1G32D2FW-046 WT:B WT:A
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $98,44 $9,85
Tipo de memória Volatile, Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDRAM) Mobile LPDDR4 SDRAM
Memory Capacity 32 Gbit (4 GB) —
Organização da memória 1G x 32 1536M x 32
Interface / Bus Width Parallel, 32-bit —
Clock Frequency (max) 2.133 GHz (2133 MHz) —
Data Rate (per pin) 4266 MT/s —
Clock Access Time (tCK) 3.5 ns —
Speed Bin -046 —
Supply Voltage VDD2 1.1 V 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4)
Supply Voltage VDDQ 1.1 V (LPDDR4X) / 1.8 V (LPDDR4) 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4)
Encapsulamento 200-ball TFBGA (10 mm x 14.5 mm) 200-ball TFBGA
Temperatura de operação -25C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Die Configuration Dual-Die Package (DDP) —
On-Die Features Auto precharge, Data mask, ZQ calibration, Write leveling, Built-in temperature sensor, Asynchronous reset —
Status RoHS Compliant Compliant
Density — 48 Gbit (6 GB)
Maximum Data Rate — 2.133 GHz
Speed Bin Suffix — -046 (2133 MHz)
Supply Voltage VDD1 — 1.8 V (typ, JEDEC LPDDR4)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Interface — LPDDR4 command/address + 32-bit DQ
JEDEC Standard — JESD209-4 (LPDDR4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh per JEDEC

Fichas técnicas e recursos

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