MT53E1G32D2FW-046 WT:B vs WT:A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT53E1G32D2FW-046 WT:B par Micron Technology et WT:A par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 WT:B MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT53E1G32D2FW-046 WT:B WT:A
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $98,44 $9,85
Type de mémoire Volatile, Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDRAM) Mobile LPDDR4 SDRAM
Memory Capacity 32 Gbit (4 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 32 1536M x 32
Interface / Bus Width Parallel, 32-bit —
Clock Frequency (max) 2.133 GHz (2133 MHz) —
Data Rate (per pin) 4266 MT/s —
Clock Access Time (tCK) 3.5 ns —
Speed Bin -046 —
Supply Voltage VDD2 1.1 V 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4)
Supply Voltage VDDQ 1.1 V (LPDDR4X) / 1.8 V (LPDDR4) 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4)
Boîtier 200-ball TFBGA (10 mm x 14.5 mm) 200-ball TFBGA
Température de fonctionnement -25C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Die Configuration Dual-Die Package (DDP) —
On-Die Features Auto precharge, Data mask, ZQ calibration, Write leveling, Built-in temperature sensor, Asynchronous reset —
Statut RoHS Compliant Compliant
Density — 48 Gbit (6 GB)
Maximum Data Rate — 2.133 GHz
Speed Bin Suffix — -046 (2133 MHz)
Supply Voltage VDD1 — 1.8 V (typ, JEDEC LPDDR4)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Interface — LPDDR4 command/address + 32-bit DQ
JEDEC Standard — JESD209-4 (LPDDR4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh per JEDEC

Fiches techniques et ressources

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