MT53E1G32D2FW-046 WT:B vs WT:A 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E1G32D2FW-046 WT:B 제조: Micron Technology 및 WT:A 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 WT:B MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B ✓ 활성
Micron Technology
WT:A WT:A - Micron 48Gb LPDDR4 SDRAM Mobile Memory | Micron

WT:A - Micron 48Gb LPDDR4 SDRAM Mobile Memory | Micron

WT:A ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53E1G32D2FW-046 WT:B WT:A
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $98.44 $9.85
메모리 유형 Volatile, Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDRAM) Mobile LPDDR4 SDRAM
Memory Capacity 32 Gbit (4 GB) —
메모리 구성 1G x 32 1536M x 32
Interface / Bus Width Parallel, 32-bit —
Clock Frequency (max) 2.133 GHz (2133 MHz) —
Data Rate (per pin) 4266 MT/s —
Clock Access Time (tCK) 3.5 ns —
Speed Bin -046 —
Supply Voltage VDD2 1.1 V 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4)
Supply Voltage VDDQ 1.1 V (LPDDR4X) / 1.8 V (LPDDR4) 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4)
패키지 200-ball TFBGA (10 mm x 14.5 mm) 200-ball TFBGA
동작 온도 -25C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Die Configuration Dual-Die Package (DDP) —
On-Die Features Auto precharge, Data mask, ZQ calibration, Write leveling, Built-in temperature sensor, Asynchronous reset —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Density — 48 Gbit (6 GB)
Maximum Data Rate — 2.133 GHz
Speed Bin Suffix — -046 (2133 MHz)
Supply Voltage VDD1 — 1.8 V (typ, JEDEC LPDDR4)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]
인터페이스 — LPDDR4 command/address + 32-bit DQ
JEDEC Standard — JESD209-4 (LPDDR4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh per JEDEC

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